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特性
Characteristics
本項目はTWELITE CUEの固有の特性として記載したもの、および各部品の特性値の引用です。
記載のない項目は各部品のデータシートをご確認ください。
項目 | min | max | |
電源(Vcc) | -0.3 | 3.6 | V |
アナログIO(VREF/ADC) | -0.3 | Vcc+0.3 | V |
デジタルIO | -0.3 | Vcc+0.3 | V |
| 条件 | min | typ | max | 単位 |
電源供給電圧 | | 2.0 | 3.0 | 3.6 | V |
始動電圧 | | 2.05 | | | V |
動作温度 | 結露無きこと | -20 | | 75 | ℃ |
動作湿度 | 結露無きこと | | | 85 | %RH |
※数値は半導体データシートに基づく。
| 条件 | min | typ | max | 単位 |
スリープ(RAMOFF タイマーなし) | | | 0.1 | | uA |
スリープ(RAMON タイマーあり) | | | 1.5 | | uA |
Tx (CPU doze) | TWELITE CUE BLUE | | 15.3 | | mA |
| TWELITE CUE RED | | 23.3 | | mA |
Rx (CPU doze) | TWELITE CUE BLUE | | 17.0 | | mA |
| TWELITE CUE RED | | 14.0 | | mA |
※数値は半導体データシートに基づく。
| 条件 | min | typ | max | 単位 |
DIO内部プルアップ | | 40 | 50 | 60 | kΩ |
DIO Hi入力 | | Vcc x 0.7 | | Vcc | V |
DIO Lo入力 | | -0.3 | | Vcc x 0.27 | V |
DIO入力ヒステリシス | | 200 | 310 | 400 | mV |
DIO Hi出力 | | Vcc x 0.8 | | Vcc | V |
DIO Lo入力 | | 0 | | 0.4 | V |
DIO負荷、吸い込み電流 | Vcc 2.7~3.6V | | 4 | | mA |
| Vcc 2.2~2.7V | | 3 | | mA |
| Vcc 2.0~2.2V | | 2.5 | | mA |
※数値は半導体データシートに基づく。
| 条件 | min | typ | max | 単位 |
消費電流 | Sleep, Vcc=1.8V | | 0.1 | | uA |
| Ultra-Low Power, 25Hz, Vcc=1.8V | | 0.9 | | uA |
| Ultra-Low Power, 100Hz, Vcc=1.8V | | 2.8 | | uA |
計測範囲 | | -16 | | 16 | g(重力加速度) |
分解能 | | | 12 | | bit |
サンプリング周波数 | | 14 | | 1300 | Hz |
※数値は半導体データシートに基づく。
| 条件 | min | typ | max | 単位 |
消費電流 | Vcc=3V | | 1.6 | 3.5 | uA |
サンプリング周波数 | | | 20 | | Hz |
磁気閾値 | 近づけるとき | ±1.5 | ±3 | ±4.8 | mT |
| 離すとき | ±0.5 | ±1.5 | ±3 | mT |
※数値は半導体データシートに基づく。
| 条件 | min | typ | max | 単位 |
消費電流 | | | 35 | 50 | nA |
パルス入力間隔 | | 60 | 90 | 120 | s |
※数値は半導体データシートに基づく。
| 条件 | min | typ | max | 単位 |
発光波長 | Vcc=2.2V | 602 | 605 | 608 | nm |
光度 | Vcc=2.2V | 40 | 100 | | mcd |
制限抵抗 | | | 470 | | Ω |
※数値は半導体データシートに基づく。